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PECVD

HPE540-6A

PECVD

应用领域:

在硅片表面沉积一层厚度约为75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy),同时利用在沉积过程中产生的活性H+离子,对硅片表面和内部进行钝化外理。在体现减少光反射的同时,也提高了硅片的少子寿命,最终直接体现在晶体硅电池的转换效率,主要用在PERC/TOPCon电池正背面氮化硅膜生长。

产品特点

  • 01
    成熟的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术;
  • 02
    石墨舟电极技术:前电极面接触,采用石墨伸缩结构,提高电极稳定性,可定期更换清洗电极块,尾电极炉管外可调,加大电极尺寸及优化电极材料,良好解决高频报警问题;
  • 03
    炉门采用力矩平衡模式的自适应炉门结构,提高炉门密封性;
  • 04
    专利储舟位并行散热方式:提升降温效果,缩短降温时间15%以上,同时避开底部从操作台前面进气,提高操作台内部洁净度;
  • 05
    快速自适应压力闭环控制技术;
  • 06
    等离子放电场检测技术;
  • 07
    装卸片防撞舟技术;
  • 08
    一体化工控机+模块化工艺控制软件;
  • 09
    全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

基本参数

项目技术指标
成膜种类SiN、SiON 、SiO
装片尺寸 210mm(兼容182mm,230mm)

装片量

768片/批(182mm),616片/批(210mm),500片/批(230mm)

镀膜厚均匀性

片内≤4% 片间≤4% 批间≤3%(166/182mm), 片内≤5% 片间≤5% 批间≤3%(210/230mm)

UP-TIME

≥98%

工作温度范围

100~600℃

温度控制

9点控温,内外双模控制

升温方式

自动斜率升温及快速恒温功能

降温方式

最新专利技术,9温区分段控制主动降温炉体

恒温区精度及长度

±1°C/3200mm(500°C)

单点温度稳定度

<±1°C/4h(500°C)

升温时间

RT→450℃≤30min

温度控

双模精确控制

系统极限真空度

<3Pa

系统漏气率停泵关阀后压力升率≤1Pa /min
压力控制方式

快速调整全自动闭环

工艺控制方式

工艺过程全自动控制,多重安全连锁报警

人机交互界面

LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能

MES/CCRM

具有