适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon工艺电池；

LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备，热氧和沉积Poly层两个工艺合二为一能够大幅提高产能；

同时兼容i/d-Poly生长工艺。

1

1

1

适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon工艺电池；

LPCVD设备可一站式完成隧穿氧化层/Poly层的制备，热氧和沉积Poly层两个工艺合二为一能够大幅提高产能；

同时兼容i/d-Poly生长工艺。

TOPCon已成为N型电池产品化推广的主流技术路线之一，硼扩散主要用于电池制造中正面制作PN结，属于关键制程之一。

低压扩散是目前被认为有效提高太阳能电池转换效率一种有效途径；

提高了扩散源的分子自由程，解决了扩散深度和均匀性的问题；

该设备主要用于晶体硅太阳电池制造中硅片的扩散掺杂与氧化退火工艺。

ALD（原子层沉积）边缘钝化设备通过原子级精度的薄膜沉积技术，在复杂结构表面形成均匀钝化层，有效抑制边缘漏电流并提升稳定性。在光伏领域，主要用于针对TOPCon、BC电池分切后的高活性边缘，ALD沉积AlOₓ层通过保形覆盖和场效应钝化，可降低边缘复合速度，提升电池效率。

适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon/BC工艺电池，PE-POLY设备在电池背面制备一层超薄的隧 穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，

超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡少子空穴复合，从而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，最终极大地降低了金属接触复合电流。

在硅片表面沉积一层厚度约为75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy)，同时利用在沉积过程中产生的活性H+离子，对硅片表面和内部进行钝化外理；

在体现减少光反射的同时，也提高了硅片的少子寿命，最终直接体现在晶体硅电池的转换效率，主要用在PERC/TOPCon电池正背面氮化硅膜生长。

应用于TOPCon电池背面poly层上的微处理工艺技术，包含激光诱导改质和激光诱导非晶化两种工艺，

可改善电池背面的接触性能以及降低长波长的光寄生吸收，提升光电转换效率，增益在0.1~0.2%。