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ALD边缘钝化设备

HPPET18A

ALD边缘钝化设备

应用领域:

ALD(原子层沉积)边缘钝化设备通过原子级精度的薄膜沉积技术,在复杂结构表面形成均匀钝化层,有效抑制边缘漏电流并提升稳定性。在光伏领域,主要用于针对TOPCon、BC电池分切后的高活性边缘,ALD沉积AlOₓ层通过保形覆盖和场效应钝化,可降低边缘复合速度,提升电池效率。

产品特点

  • 01
    大装片量 18000片/腔;
  • 02
    进气釆用喷淋板的设计分散气体,增加气体分散的均匀性;
  • 03
    喷淋板采用易拆卸式、便于日后维修保养;
  • 04
    双层炉体设计,提高生产的安全性;
  • 05
    整机除了ALD镀膜功能外,并增加退火功能,提高钝化效果(两个镀膜腔,一个退火腔)。

基本参数

项目技术指标
硅片尺寸(mm)

182-230半片

成膜种类Al203
反应源配置三甲基铝(TMA,Solar grade),水(H2O)
成膜厚度5-40nm 可控
成膜均匀性

片内:≤4%,片与片:≤4%,批与批:≤3%

镀膜

堆叠侧边镀膜

装片量

≥18000/腔(210mm半片)

UP-TIME≥98%
碎片率 (不含自动化上下料)≤ 0.03%

极限真空度

≤ 0.08 Torr (~10 pa)

工艺压力0.5-10 Torr
管路气密性≤1x10-7pa.m3/s
TMA供气方式N2 携源/蒸气
工艺温度150-300℃+1℃

单点温控精度

±0.5°C

温区数量3