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原子层沉积镀膜设备(ALD)

HPAT260A

原子层沉积镀膜设备(ALD)

应用领域:

自主研发设计大产能管式ALD沉积设备,提供超薄高质量介电膜SnOx、AIOx、NiOx、ZnOx以应用于高效太阳能电池的制造,并搭配自动化提供稳定可靠的设备运行。

产品特点

  • 01
    优化喷淋板设计及腔体内空间,改善流场均匀性,达到超大产能,并提高维护性;
  • 02
    设备零配件的更换以客户易于维修为设计重点;
  • 03
    独特的温度监控设计让工艺更佳稳定。

基本参数

项目技术指标
硅片尺寸(mm)

182-230

成膜种类Al203、SnOx、Si0x、NiOx、Znox
成膜厚度1-10nm 可控
成膜均匀性

片内:≤4%,片与片:≤4%,批与批:≤3%

镀膜双插单面镀膜
UP-TIME≥98%
碎片率 (不含自动化上下料)≤ 0.02%
反应腔内外双腔
载片方式水平腔体
送舟方式工艺过程传输装置留在腔体内
单舟装片量182mm:3360 片/腔,双舟;210mm:2880片/腔,双舟
工艺压力0.5-10 Torr
管路气密性≤1x10-7pa.m3/s
TM A供气方式N2 携源/蒸气
泵抽速规格≥1820m3/h+1s0160
工艺温度150-300℃+1℃
温区数量3
冷却水2-4 kgf/cm2
设备尺寸长*宽(主体含泵,臭氧机)L9700*W4340*H2450(mm)
氮气需求5N(机台提供9N纯化器)
能耗值三相五线制 380V+5%,50Hz±1Hz;