https://hans-pv.com https://hans-pv.com

LPCVD镀膜机

HLP480-6A

LPCVD镀膜机

应用领域:

适用于半导体和光伏领域,针对于光伏领域TOPCon/BC工艺电池,LPCVD设备在电池背面制备一层超薄的隧穿氧化层和一层多晶硅薄层,超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层,同时阻挡少子空穴复合,从而电子在多晶硅层横向传输被金属收集,最终极大地降低了金属接触复合电流。

产品特点

  • 01
    成熟的高产能工艺、双模温度控制技术、薄膜硅保护技术;
  • 02
    具备多种镀膜技术:多层复合膜、掺杂多晶硅技术;
  • 03
    采用垂直载片方式(类PE),硅片不容易变弯硅片对气流的阻挡小,提升气体利用率,提升镀膜均匀性;
  • 04
    采用独特工艺气体进气设计,炉口环形均匀进气+炉尾喷淋管进气,确保气场的均匀性;
  • 05
    采用悬臂桨双炉门方式,工艺时桨不需退出,缩短了工艺时间;石英管与舟不接触,减少舟对石英管的影响;
  • 06
    快速自适应压力闭环控制技术;
  • 07
    装卸舟防撞舟技术;
  • 08
    一体化工控机+模块化工艺控制软件;
  • 09
    全面的停电安全处理和法兰水异常保护。

基本参数

项目技术指标
成膜种类SiOx,i/d-Poly-Si
装片尺寸垂直装片方式:2880片/批(182mm),2200片/批(210mm)
膜厚均匀性SiOx均匀性:厚度1-3nm可调,精度0.1nm,用抛光片测试SiOx厚度
Poly均匀性:厚度50-200nm可调,精度1nm,用抛光片测试Poly厚度,片内:≤4%;片间≤4%;批间≤3%(>100nm时)
UP -TIME≥95%
工作温度范围400-750℃
温度控制6点控温,内外双模控制
升温方式自动斜率升温及快速恒温功能
降温方式最新专利技术,6温区分段控制主动降温炉体
恒温区精度及长度±1℃/2800mm(550-700℃)
单点温度稳定度±1℃/6H
升温时间RT → 750℃ ≤ 45min
降温速率≥ 5℃/min
温度控制双模精确控制
系统极限真空度≤10mTorr
系统漏气率停泵关阀后压力升率≤10mTorr/min
压力控制方式快速调整全自动闭环
工艺控制方式工艺过程全自动控制, 多重安全连锁报警
人机交互界面LCD显示、触摸操作、工艺编辑、在线监控、权限管理、班组管理、组网功能
MES/CCRM具有