低压扩散是目前被认为有效提高太阳能电池转换效率一种有效途径；

提高了扩散源的分子自由程，解决了扩散深度和均匀性的问题；

该设备主要用于晶体硅太阳电池制造中硅片的扩散掺杂与氧化退火工艺。

自主研发设计大产能管式ALD沉积设备, 提供超薄高质量介电膜SnOx、AlOx、NiOx、 ZnOx以应用于高效太阳能电池的制造, 并搭配自动化提供稳定可靠的设备运行。

ALD（原子层沉积）边缘钝化设备通过原子级精度的薄膜沉积技术，在复杂结构表面形成均匀钝化层，有效抑制边缘漏电流并提升稳定性。在光伏领域，主要用于针对TOPCon、BC电池分切后的高活性边缘，ALD沉积AlOₓ层通过保形覆盖和场效应钝化，可降低边缘复合速度，提升电池效率。

适用于半导体和光伏领域，针对于光伏领域TOPCon/BC工艺电池，PE-POLY设备在电池背面制备一层超薄的隧 穿氧化层和一层高掺杂的多晶硅薄层，

超薄氧化层可以使多子电子隧穿进入多晶硅层，同时阻挡少子空穴复合，从而电子在多晶硅层横向传输被金属收集，最终极大地降低了金属接触复合电流。

在硅片表面沉积一层厚度约为75-140nm的减反射氮化硅膜(SixNy)，同时利用在沉积过程中产生的活性H+离子，对硅片表面和内部进行钝化外理；

在体现减少光反射的同时，也提高了硅片的少子寿命，最终直接体现在晶体硅电池的转换效率，主要用在PERC/TOPCon电池正背面氮化硅膜生长。

应用于TOPCon电池背面poly层上的微处理工艺技术，通过减薄或去除poly形成finger结构以降低长波长的光寄生吸收，提升蓝光响应，提高短路电流，光电转换效率增益在0.15%。 

应用于TOPCon电池栅线电极接触改善的工艺技术，位于丝网线光注入之后，通过匹配专用浆料，降低烧结峰值温度，降低对钝化层的损伤以及复合，可有效改善开路电压和填充因子，光电转换效率增益在0.3%以上。 

应用于XBC电池上的开膜工艺技术，是在电池背面使用超快激光平顶整形大光斑进行开掉掩膜，为后道实现定域的叉指状间隔排列的P区和N区，来实现电池功能。 

适用于钙钛矿、CIGS、CdTe、变色玻璃等薄膜电池P0打标、P1/P2/P3激光刻划、P4激光绝缘清边以及激光BIPV透光。